任职资格：
1.电子工程、材料、电子电机、固态物理或相关科系本科及以上学位，应届生也可以。
2.熟悉MOSFET / IGBT器件物理与设计。
3.良好英文能力。
加分条件：
1.具备TCAD或器件模拟经验。
2.熟悉可靠度与失效机制。
岗位职责：
1.设计与优化功率组件（SiC MOSFET、IGBT、二极管）。
2.开发与评估不同结构（trench / planar）与cell architecture。
3.优化关键参数（Rds(on)、Rsp、cell density、switching performance）。
4.分析与提升器件可靠度（gate oxide reliability、HTRB、HTGB、TDDB）。
5.评估ruggedness（UIS、avalanche、short-circuit capability）。
6.进行TCAD 模拟与电性建模（SPICE）。
7.与晶圆厂合作进行制程整合与良率优化。
8.支持产品导入与失效分析。
薪资范围：
7k—15k/月
福利待遇
五险一金，周末双休，法定节假日，餐补，人才公寓。